特許
J-GLOBAL ID：201603010733169326
DLC膜形成方法及びDLC膜形成装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (1件)：
三木 久巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-161659
公開番号（公開出願番号）：特開2016-037637
出願日： 2014年08月07日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：
【課題】本発明は、水素フリーで高硬度を有すると共に耐熱性に優れ、基材に対する好適な膜特性を有するDLC膜を基材に形成すること目的としている。【解決手段】本発明は、ガス導入しない真空雰囲気下に設定された固体又は液体からなる2個以上の蒸発源を蒸発させて生成された蒸発物質により対象物の表面に被膜を形成する被膜形成方法であり、少なくとも1個の蒸発源が炭素を含有する固体の主蒸発源2であり、少なくとも1個の蒸発源が炭素以外の常温で気体でない他元素からなる副蒸発源3であり、前記主蒸発源2の主蒸発物質を発生させる方法が真空アーク、フィルタードアーク又はレーザー蒸発であり、1種以上の前記他元素を含有したDLC膜を対象物の表面に形成するDLC膜形成方法及びDLC膜形成装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガス導入しない真空雰囲気下に設定された固体又は液体からなる2個以上の蒸発源を蒸発させて生成された蒸発物質により対象物の表面に被膜を形成する被膜形成方法であり、少なくとも1個の蒸発源が炭素を含有する固体の主蒸発源であり、少なくとも1個の蒸発源が炭素以外の常温で気体でない他元素からなる副蒸発源であり、前記主蒸発源の主蒸発物質を発生させる方法が真空アーク、フィルタードアーク又はレーザー蒸発であり、1種以上の前記他元素を含有したDLC膜を対象物の表面に形成することを特徴とするDLC膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C23C14/24 F
, C23C14/06 F
, C23C14/24 C
, C23C14/24 T
4K029AA02
, 4K029AA04
, 4K029BA34
, 4K029BB10
, 4K029BC02
, 4K029BD04
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA13
, 4K029DB02
, 4K029DB17
, 4K029DB21
, 4K029DD06
, 4K029EA01
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
