特許
J-GLOBAL ID：200903099884129593

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
中澤 敏志

中澤 敏志 について

, 
瀧澤 俊幸

瀧澤 俊幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-059688
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287212
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】III-V族窒化物系化合物半導体を用いた半導体発光素子において、n型半導体層に対するオーミックコンタクト抵抗を低減して低電圧動作を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第1のIII-V族窒化物半導体よりなるMQW活性層104と、該MQW活性層104における互いに対向する対抗面のうちの一の面上に形成され、InxAlyGa1-x-yN(但し、x,yは、0 請求項（抜粋）：
第1のIII-V族窒化物半導体よりなる活性層と、 前記活性層における互いに対向する対抗面のうちの一の面上に形成され、InxAlyGa1-x-yN(但し、x,yは、0 IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (9件)：
5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F173AA08 ,  5F173AF75 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06
引用特許：
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (20件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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