特許
J-GLOBAL ID：201703014250793994
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人航栄特許事務所
, 高松 猛
, 尾澤 俊之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-073754
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199273
特許番号：特許第6101540号
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂(A)と、下記一般式(2)で表されるイオン性化合物(B)とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記一般式(1)中、
X1は単結合又は2価の連結基を表す。
A1は(n1+1)価の芳香環基を表し、R11、R12及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
R13はA1と結合して環を形成していてもよく、その場合のR13はアルキレン基を表す。
Raは炭素数2以上のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はヘテロ環基を表し、Rbは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はヘテロ環基を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はヘテロ環基を表す。Ra及びRbが結合して環を形成してもよい。Ra、M及びQの少なくとも2つが結合して環を形成していてもよい。
n1は、1〜4の整数を表す。n1が2以上のとき、複数のRa、複数のRb、複数のM、及び複数のQは、それぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
上記一般式(2)中、
A-は有機酸アニオンを表し、Lは2価の連結基を表し、カチオンX+は窒素カチオンを表す。
Rxは各々独立にアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はヘテロ環基を表す。複数のRxは互いに結合して環を形成していてもよく、形成される該環は環員として窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。
n2は3を表す。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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