Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：堀城之 , 前島幸彦 , 長谷川明 , 村上大勇 , 小河卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-086074
公開番号（公開出願番号）：特開2017-193770
出願日： 2016年04月22日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：

【課題】緻密な構造のRu層(金属層)を低温で成膜する。【解決手段】基板ホルダ13とカソード電極12間には、チャンバ10外に設けられた直流電源22を介して、カソード電極12が負側となるような直流(DC)電圧が印加される。ここでは、スパッタリングターゲット11、カソード電極12をその鉛直方向に沿った中心軸の周りで巻回するヘリカルコイル14が設けられている。ヘリカルコイル14には、チャンバ10外に設けられた高周波電源23によって高周波電力が印加される。ヘリカルコイル14を用いることによって、基板100の温度が400°C以下の場合でも、良好な膜質のRuバリアメタル層を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ルテニウム(Ru)を主成分とするRu層をスパッタリング法によって基板上に成膜するRu成膜方法であって、圧力が5×10-4Torr〜2×10-3Torrの範囲とされたアルゴン(Ar)雰囲気下において、前記基板と、Ruを主成分とするスパッタリングターゲットとを上下方向において対向させて配置し、前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間において、前記基板側を負として直流電力を印加すると共に、前記スパッタリングターゲットに隣接して設けられ、前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間に前記直流電力が印加されない場合においても前記Arをプラズマ化可能なプラズマ補助手段に対して電力を供給し、前記基板の温度を400°C以下として前記Ru層を成膜することを特徴とするRu成膜方法。

IPC (9件)：

C23C 14/34 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/285 , C23C 14/22 , C23C 14/14 , C23C 14/38 , H05H 1/46

FI (7件)：

C23C14/34 R , H01L21/88 R , H01L21/285 S , C23C14/22 F , C23C14/14 D , C23C14/38 , H05H1/46 A

Fターム (62件)：

2G084AA04 , 2G084BB11 , 2G084BB21 , 2G084CC02 , 2G084CC13 , 2G084CC17 , 2G084CC33 , 2G084DD01 , 2G084DD03 , 2G084DD05 , 2G084DD13 , 2G084DD14 , 2G084DD66 , 2G084FF13 , 2G084FF20 , 2G084FF26 , 2G084FF31 , 2G084FF40 , 2G084HH09 , 2G084HH35 , 2G084HH45 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC27 , 4K029DC34 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029EA09 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104DD38 , 4M104DD39 , 4M104DD40 , 4M104DD41 , 4M104DD52 , 4M104FF17 , 4M104HH05 , 4M104HH09 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP17 , 5F033PP23 , 5F033PP27 , 5F033QQ07 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW08 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (13件)

メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-016115 出願人：日本電信電話株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-273240 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
イオン化スッパタ装置及びイオン化スパッタ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155981 出願人：アネルバ株式会社

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