高度なデバイスのウェハ上の粒子性能に対して化学的適合性のあるコーティング材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安齋嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-001685
公開番号（公開出願番号）：特開2018-076600
出願日： 2018年01月10日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】誘電体のエッチング処理コンポーネントへ、セラミックスコーティングを施す方法で、プラズマに耐性のあるチャンバ材料の提供。【解決手段】半導体処理チャンバ用物品のためのコーティングを製造するために、Al、Al2O3、又はSiCのうちの少なくとも1つの本体と、本体上のセラミックスコーティングを含む物品。セラミックスコーティングは、約50〜約75モル%の範囲内のY2O3と、約10〜約30モル%の範囲内のZrO2と、約10〜約30モル%の範囲内のAl2O3とを含む化合物を含み、1インチ当たりのノジュールの数が約30〜約45ノジュールの範囲内であり、空孔率が約2.5〜約3.2%の範囲内である処理チャンバ用物品。好ましくは、セラミックスコーティングの粗さが約220〜約250μinである、物品。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Al、Al2O3、又はSiCのうちの少なくとも1つを含む本体と、本体上のセラミックスコーティングであって、セラミックスコーティングは、約50モル%〜約75モル%の範囲内のY2O3と、約10モル%〜約30モル%の範囲内のZrO2と、約10モル%〜約30モル%の範囲内のAl2O3とを含む化合物を含み、セラミックスコーティングに対する1インチ当たりのノジュールの数が約30ノジュール〜約45ノジュールの範囲内であり、セラミックスコーティングの空孔率が約2.5%〜約3.2%の範囲内である処理チャンバ用物品。

IPC (2件)：

C23C 4/11 , H01L 21/306

FI (2件)：

C23C4/11 , H01L21/302 101G

Fターム (13件)：

4K031AA08 , 4K031AB02 , 4K031CB14 , 4K031CB16 , 4K031CB42 , 4K031DA04 , 4K031EA01 , 4K031EA03 , 5F004AA14 , 5F004AA16 , 5F004BB30 , 5F004BD03 , 5F004DB01

引用特許：

審査官引用 (12件)

耐プラズマ性セラミックス溶射膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-237397 出願人：コバレントマテリアル株式会社
耐プラズマ性セラミックス溶射膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-237398 出願人：コバレントマテリアル株式会社
ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-099381 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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