特許
J-GLOBAL ID:201803009849927437

<100>シリコンからなる自立層の分離

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人前田特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-519305
特許番号:特許第6246198号
出願日: 2013年07月01日
請求項(抜粋):
【請求項1】 太陽電池分野での使用を目的とした、結晶方位<100>のシリコンからなる自立層の分離方法であって、 イオン種を結晶方位<100>のシリコンからなる基板に注入することにより、自立層と前記基板のネガティブとをその両側で規定する脆化面を前記基板内に形成する工程a)と、 前記工程a)で注入された基板に30°C/sを超える温度勾配で熱処理を行うことにより、シリコンからなる前記自立層を分離する工程b)と、 を備える、分離方法。
IPC (3件):
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 33/00 ( 200 6.01) ,  H01L 31/18 ( 200 6.01)
FI (3件):
C30B 29/06 B ,  C30B 33/00 ,  H01L 31/04 460
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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