特許
J-GLOBAL ID：201803020743917924
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-204814
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070183
特許番号：特許第6307764号
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の表面に有機溶剤を含むレジストを形成する工程と、
前記レジストをパターニングすることにより第1レジストパターンを形成する工程と、
対象物を加熱可能な処理装置のチャンバー内において、前記半導体基板上の前記第1レジストパターンを前記チャンバーより容積が小さい空間内に面して配置する工程と、
前記処理装置内で前記第1レジストパターンを加熱することにより、前記第1レジストパターンを変形させる工程と、
前記第1レジストパターンを変形させる工程の後、前記第1レジストパターンを前記半導体基板に転写することにより前記半導体基板にレンズを形成する工程と、を有し、
前記チャンバーよりも容積が小さい空間は、リング状の支柱をホットプレート上に配置し、前記チャンバー内において前記ホットプレートに前記第1レジストパターンが対向するように、前記リング状の支柱に前記半導体基板を配置することにより形成された空間であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
H01L 21/30 571
, G03F 7/20 501
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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