特許
J-GLOBAL ID：202303001661743915
酸化ガリウム半導体膜及び原料溶液
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-179004
公開番号（公開出願番号）：特開2023-015226
出願日： 2022年11月08日
公開日（公表日）： 2023年01月31日
要約：
【課題】
結晶性等に優れた高品質の酸化ガリウム半導体膜を高い生産性で得ることが可能な、ミストCVD法による酸化ガリウム半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
原料溶液を霧化又は液滴化して生成されたミストを、キャリアガスを用いて搬送し、前記ミストを加熱して、基体上で前記ミストを熱反応させて成膜を行う酸化ガリウム半導体膜の製造方法であって、前記原料溶液中の水素イオン濃度を、1×10
-12
~1×10
-2
mol/Lとする酸化ガリウム半導体膜の製造方法。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化ガリウム半導体膜であって、
X線回折測定による(0006)面回折ピークのロッキングカーブの半値全幅が79秒以下であり、
エネルギー分散型X線分析(EDS)において、GaとO以外の元素が検出されないものであることを特徴とする酸化ガリウム半導体膜。
IPC (3件)：
H01L 21/365
, H01L 21/368
, C23C 16/40
H01L21/365
, H01L21/368 Z
, C23C16/40
出願人引用 (5件)
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特開平1-257337号公報
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成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-122834
出願人：藤田静雄, エムテック株式会社, セラミックフォーラム株式会社
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ミストCVD装置及びミスト発生方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2010-187019
出願人：シャープ株式会社
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審査官引用 (7件)
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