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J-GLOBAL ID：200903004781752127

半導体装置の製造方法

Inventor：
吉川 豊

About 吉川 豊


Applicant, Patent owner：
新光電気工業株式会社

About 新光電気工業株式会社


Agent (4)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430654
Publication number (International publication number)：2005191270
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 半導体素子の底部を研磨することで半導体装置全体の厚さを極力小さくできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ベース金属(1)の表面に半導体素子搭載部としての凹部(3)を形成すると共に、ベース金属の表面に接続パッド部(4)を形成する工程と、凹部の底面に半導体素子の底面が接合するように、半導体素子(2)を半導体素子搭載部に搭載し、半導体素子の表面の電極端子と接続パッド部との間をボンディングワイヤ(6)により接続する工程と、半導体素子等を樹脂(7)でモールド封止する工程と、ベース金属を除去する工程と、樹脂モールドされた半導体素子の裏面を含む装置本体の領域を研磨する工程とを含む。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
ベース金属の表面に半導体素子搭載部としての凹部を形成すると共に、該ベース金属の表面に接続パッド部を形成する工程と、 前記凹部の底面に半導体素子の裏面が接合するように、該半導体素子を前記半導体素子搭載部に搭載し、該半導体素子の表面の電極端子と前記接続パッド部との間をワイヤボンディングにより接続する工程と、 前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ及び前記接続パッド部が含まれる領域を樹脂で封止する工程と、 前記ベース金属を除去する工程と、 前記半導体素子の裏面を含む封止樹脂の底部領域を研磨して平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1)：
H01L23/12
FI (1)：
H01L23/12 L
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (3)

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