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J-GLOBAL ID：200903008683310308

半導体装置とその製造方法

Inventor： 山口 正臣 ,  杉山 芳弘 ,  南方 浩志 ,  迫田 恒久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003431910
Publication number (International publication number)：2005191341
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】 ゲート絶縁膜としてヒステリシスが小さく、フラットバンド電圧の変化ΔVfbが小さな酸化物高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上に形成された第1酸化物層、その上に形成された第2酸化物層、さらにその上に形成された第3酸化物層を含む高誘電率絶縁層であって、第1酸化物層と第3酸化物層は、第2酸化物層より小さい酸素の拡散係数を有する、高誘電率絶縁層と、前記高誘電率絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板表面に形成された酸化シリコン層と、 前記酸化シリコン層上に形成された第1酸化物層、その上に形成された第2酸化物層、さらにその上に形成された第3酸化物層を含む高誘電率絶縁層であって、第1酸化物層と第3酸化物層は、第2酸化物層より小さい酸素の拡散係数を有する、高誘電率絶縁層と、 前記高誘電率絶縁層上に形成されたゲート電極と、 を有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L21/316 ,  C23C16/40

FI (2)：

H01L21/316 M ,  C23C16/40

F-Term (31)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF51 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-088915   Applicant：三菱電機株式会社
• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215186   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-395734   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化学気相成長法による膜堆積装置および膜堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206513   Applicant：株式会社堀場製作所
• 半導体装置、相補型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-077055   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-017038   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-080316   Applicant：ソニー株式会社