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J-GLOBAL ID：200903008699494468

窒化物半導体発光素子

Inventor：
坂本 恵司

About 坂本 恵司

, 
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998000614
Publication number (International publication number)：1999195840
Application date： Jan. 06, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【目的】 主としてレーザ素子の寿命を長くして信頼性の高いレーザ素子を得ることにあり、具体的には半導体素子の熱伝導性を向上させ、かつクラッド層の光閉じ込め効果を向上させることにより、発振閾値を低下させる。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有し、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×1017/cm3以下で、膜厚10μm以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第1の主面上に、その窒化物半導体基板よりもn型不純物濃度が大きいn型窒化物半導体よりなるn側コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるn側クラッド層を有し、さらにそのn側クラッド層の上に、活性層と、p型窒化物半導体よりなるp側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記n側コンタクト層と、前記p側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第1の主面側にある。
Claim (excerpt)：
第1の主面と第2の主面とを有し、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×1017/cm3以下で、膜厚10μm以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第1の主面上に、その窒化物半導体基板よりもn型不純物濃度が大きいn型窒化物半導体よりなるn側コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるn側クラッド層を有し、さらにそのn側クラッド層の上に、活性層と、p型窒化物半導体よりなるp側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記n側コンタクト層と、前記p側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第1の主面側にあることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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