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J-GLOBAL ID：200903008704711723

半導体発光素子

Inventor：
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057663
Publication number (International publication number)：2003258306
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【目的】発光出力及び光取り出し効率に優れた半導体素子を提供する。【手段】n型半導体層とp型半導体層との間に活性層を有し、p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、p側電極は、p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、p側オーミック電極の一部と電気的に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、p側オーミック電極は、p側パッド電極と接し、一部がp側パッド電極から離れる方向に延長する延長部を有する第1の領域と、第1の領域の延長部の一部を起点としてその延長部と異なる方向でかつn側電極に近づく方向に延長する延長部からなる第2の領域とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
n型半導体層とp型半導体層との間に活性層を有し、前記p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、前記p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、前記p側電極は、前記p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、該p側オーミック電極の一部と電気的に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、前記p側オーミック電極は、前記p側パッド電極と接し、一部がp側パッド電極から離れる方向に延長する延長部を有する第1の領域と、該第1の領域の延長部の一部を起点としてその延長部と異なる方向でかつ前記n側電極に近づく方向に延長する延長部からなる第2の領域とを有することを特徴とする半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
F-Term (9)：
5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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