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J-GLOBAL ID：200903013913537602

スピンバルブを有した磁気抵抗デバイスならびに改良された性能

Inventor：
ベルナール・ディーニー

About ベルナール・ディーニー

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ベルナール・ロッドマック

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フランク・アーヌルト

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Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

About コミツサリア タ レネルジー アトミーク


Agent (5)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003535211
Publication number (International publication number)：2005505932
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
本発明は、スピンバルブ(1)を具備した磁気抵抗デバイスに関するものであって、スピンバルブ(1)が、複数の層からなる積層体から形成され、積層体が、各磁化方向の相対的配向性を磁界の影響によって変更し得るような少なくとも2つの磁性層(2,3)を備え、磁気抵抗デバイスが、さらに、複数の層がなす面を横断する向きにスピンバルブ内を通して電流を流すための手段(6a,6b)を具備している。スピンバルブ(1)は、積層体の中に、複数の導電性ブリッジ(5)が厚さ方向に貫通形成されている少なくとも1つの不連続な誘電体層または半導体層(4)と、を備え、ブリッジ(5)が、積層体を横断して流れる電流を局所的に集中させ得るものとして構成されている。本発明は、磁気読取ヘッドやランダムアクセスメモリに対して特に好適に応用される。
Claim (excerpt)：
スピンバルブ(1)を具備した磁気抵抗デバイスであって、 前記スピンバルブ(1)が、複数の層からなる積層体から形成され、 前記積層体が、各磁化方向の相対的配向性を磁界の影響によって変更し得るような少なくとも2つの磁性層(2,3)と、複数の導電性ブリッジ(5)が厚さ方向に貫通形成されている少なくとも1つの不連続な誘電体層または半導体層(4)と、を備え、 前記ブリッジ(5)が、前記積層体を横断して流れる電流を局所的に集中させ得るものとして構成され、 さらに、前記複数の層がなす面を横断する向きに前記スピンバルブ内を通して電流を流すための手段(6a,6b)を具備し、 このような磁気抵抗デバイスにおいて、 前記導電性ブリッジ(5)付きの前記誘電体層または半導体層(4)が、前記少なくとも2つの磁性層のうちの一方の磁性層(3)内に設けられていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
IPC (7)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10
FI (7)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447
F-Term (19)：
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA31 ,  5F083JA32 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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