窒化物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133465
Publication number (International publication number)：1999330558
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】発光特性の良好な窒化物半導体発光素子を提供する。【構成】 p層の略全面に形成された透光性のオーミック層7Aと、酸化物からなる保護膜12との間に、酸化防止層7Bを備えている。

Claim (excerpt)：

p層の略全面に形成された透光性のp側電極と、該p側電極の表面を覆う透光性且つ絶縁性を有する酸化物よりなる保護膜と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、前記p側電極が前記p層の略全面に被着されたオーミック層と、前記オーミック層と保護膜との間に形成された酸化防止層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-146626 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234685 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281170 Applicant：日亜化学工業株式会社

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