マスクを通過する横方向のオーバーグロースによる窒化ガリウム半導体層を製造する方法及びそれによって製造された窒化ガリウム半導体の構造体

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000533892
Publication number (International publication number)：2002505519
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】第1の開口部のアレイを中に含む第1のマスク(106)を用いて基底の窒化ガリウム層(104)をマスクし、基底の窒化ガリウム層(104)を第1の開口部のアレイを通って第1のマスク上に成長させて、第1の過度成長した窒化ガリウムの半導体層(108a,108b)を形成することによって、窒化ガリウムの半導体層を製造する。第2の開口部のアレイを中に含む第2のマスク(206)を用いて、第1の過度成長した層をマスクする。この第2の開口部のアレイは、第1の開口部のアレイから横方向にオフセットしている。第1の過度成長した窒化ガリウム層(108a,108b)を、次に、第2の開口部のアレイを通って第2のマスク(206)上に成長させ、これにより第2の過度成長した窒化ガリウムの半導体層(208a,b)を形成する。その結果、マイクロ電子ディバイス(210)を、この第2の過度成長した窒化ガリウムの半導体層(208a,b)内に形成することができる。

Claim (excerpt)：

基底の窒化ガリウム層を開口部のアレイを中に含むマスクを用いてマスクするステップと、前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ、これにより過度成長した窒化ガリウムの半導体層を形成するステップと、をそれぞれ備えることを特徴とする窒化ガリウムの半導体層を製造する方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (24)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB32 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045EE12 , 5F052KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社
2層選択成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-132051 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-293036 Applicant：ソニー株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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