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J-GLOBAL ID：200903021132915744

半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置

Inventor：
竹中 靖二

About 竹中 靖二


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003419433
Publication number (International publication number)：2004274027
Application date： Dec. 17, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】 放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体発光装置は、主表面1aを有するリードフレーム1と、LEDチップ4と、LEDチップ4を完全に覆うように設けられたエポキシ樹脂6と、LEDチップ4を囲むように設けられた樹脂部3とを備える。エポキシ樹脂6は、頂面6aを含む。樹脂部3は、主表面1aからの距離が主表面1aから頂面6aまでの距離よりも大きい位置に設けられた頂面3aと、LEDチップ4が位置する側において主表面1aから離隔する方向に延在し、頂面3aに連なる内壁3bとを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の領域と、前記第1の領域の周縁に沿って延在する第2の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、 前記第1の領域に設けられた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率を有し、前記半導体発光素子を完全に覆うように前記第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、 前記半導体発光素子から発せられた光に対して前記第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有し、前記半導体発光素子を囲むように前記第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備え、 前記第1の樹脂部材は、第1の頂面を含み、 前記第2の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第2の頂面に連なる内壁とを含む、半導体発光装置。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 N
F-Term (10)：
5F041AA06 ,  5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • チップ部品型LED及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-027956   Applicant：シャープ株式会社
  • チップ型LED
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-337119   Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (13)
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