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J-GLOBAL ID:200903028079324636

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002207161
Publication number (International publication number):2004055600
Application date: Jul. 16, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバの天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置される。天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていてもよい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって; 前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065
FI (3):
H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/302 101D
F-Term (20):
4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA01 ,  4K030KA15 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F045AA09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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