Pat
J-GLOBAL ID:200903028079324636
プラズマ処理装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
石田 敬
, 鶴田 準一
, 吉井 一男
, 西山 雅也
, 樋口 外治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002207161
Publication number (International publication number):2004055600
Application date: Jul. 16, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバの天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置される。天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていてもよい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって;
前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L21/205
, C23C16/509
, H01L21/3065
FI (3):
H01L21/205
, C23C16/509
, H01L21/302 101D
F-Term (20):
4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030KA01
, 4K030KA15
, 4K030KA20
, 4K030KA30
, 4K030KA39
, 4K030KA46
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB29
, 5F004BD04
, 5F004CA06
, 5F045AA09
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EH02
, 5F045EH20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-138375
Applicant:三菱電機株式会社
-
プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-208966
Applicant:国際電気株式会社
-
高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-007581
Applicant:株式会社東芝
-
プラズマCVD法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-215581
Applicant:日新電機株式会社
-
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-166973
Applicant:キヤノン株式会社
-
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-234103
Applicant:株式会社東芝
-
堆積膜の製造装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-104669
Applicant:キヤノン株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-035953
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-221071
Applicant:キヤノン株式会社
-
薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-112693
Applicant:アネルバ株式会社, 経済産業省産業技術総合研究所長, 松田彰久, 近藤道雄
-
薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-267554
Applicant:アネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, 松田彰久, 近藤道雄
Show all
Return to Previous Page