プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000060448
Publication number (International publication number)：2000323298
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】誘導結合アンテナを用いたプラズマ処理において、試料の処理中に真空容器の内壁面への反応生成物の付着を抑制することを目的とする。【解決手段】誘導結合アンテナ1と静電容量結合アンテナ8の間からインピーダンスの大きさを可変可能な負荷17を介してアースに接地し、負荷17のインピーダンスの大きさを調整することで、静電容量結合放電で生成されるプラズマの割合を調整し、真空容器内壁への反応生成物の付着を抑制する。

Claim (excerpt)：

プラズマが形成される領域を囲む面に対し誘導結合アンテナを配置し、前記誘導結合アンテナが配置されていない部分の面に対し静電容量結合アンテナを配置して、前記誘導結合アンテナと前記静電容量結合アンテナを電気的に直列に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (4)：

H05H 1/46 L , H05H 1/46 R , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

F-Term (20)：

5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB29 , 5F045AA08 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EH11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-153020 Applicant：ソニー株式会社
プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136831 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウェハの処理中にクリーニングするためのクリーニング用電極を備えるRFプラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-324326 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (14)

プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-153020 Applicant：ソニー株式会社
プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136831 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウェハの処理中にクリーニングするためのクリーニング用電極を備えるRFプラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-324326 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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