ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005336825
Publication number (International publication number)：2006251761
Application date： Nov. 22, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】LERの低減された高解像性のパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有しかつα位にフッ素原子またはフッ素化低級アルキル基が結合したアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)とを有する高分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有しかつα位にフッ素原子またはフッ素化低級アルキル基が結合したアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)とを有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 212/14 , C08F 220/22

FI (4)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , C08F212/14 , C08F220/22

F-Term (25)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AL08Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BC09Q , 4J100BC49Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電子線またはX線用ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142185 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (10)

フルオロ化されたエチレングリコール基を有する感光性ポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-324050 Applicant：三星電子株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190647 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-110738 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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