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J-GLOBAL ID：200903034805841378

有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

Inventor： 田中 達夫 ,  平井 桂 ,  竹村 千代子 ,  中村 和明 ,  北 弘志
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005032739
Publication number (International publication number)：2006219550
Application date： Feb. 09, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ、高耐久性を併せ持つ、有機TFT、電界効果トランジスタ、更に、該有機TFTまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供する。【解決手段】 位置規則性を有する繰り返し単位を有し、該繰り返し単位は、芳香族性の単環または芳香族性を有する縮合環を分子中に含み、該単環または該縮合環の合計が10〜200個であるオリゴマーまたはポリマーであり、該オリゴマーまたは該ポリマー中の、単一分子量成分の含有量が60モル%以上であることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

位置規則性を有する繰り返し単位を有し、該繰り返し単位は、芳香族性の単環または芳香族性を有する縮合環を分子中に含み、該単環または該縮合環の合計が10〜200個であるオリゴマーまたはポリマーであり、該オリゴマーまたは該ポリマー中の、単一分子量成分の含有量が60モル%以上であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (3)：

C08G 61/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (3)：

C08G61/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (35)：

4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA12 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BA20 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB09 ,  4J032CA03 ,  4J032CA12 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CB12 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• ダイオード素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-316710   Applicant：松下技研株式会社
• αヘキサチエニールを含む製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039190   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-295074   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• モノ、オリゴおよびポリジチエノピリジンおよびこれらの電荷移動物質としての使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-199576   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-003065   Applicant：ゼロックス・コーポレーション
• ポリチオフェン類を用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-006210   Applicant：ゼロックス・コーポレーション
• ポリチオフェン類
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-004785   Applicant：ゼロックス・コーポレーション

Cited by examiner (7)

• 導電性高分子及びその製造方法,並びに導電性高分子を含有する電気-光変換素子,電気・電子素子,光-電気変換素子及び電気配線板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-062265   Applicant：三菱化学株式会社
• フルオレンおよびアリール基を含むモノマー、オリゴマーおよびポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-061666   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-031330   Applicant：カーネギー-メロンユニバーシティ
• ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-003066   Applicant：ゼロックス・コーポレーション
• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331398   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 立体規則性ポリチオフェン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-003149   Applicant：科学技術振興事業団
• ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-282638   Applicant：科学技術振興事業団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 2000, 1211*6