3族窒化物化合物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996175574
Publication number (International publication number)：1998004210
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び発光効率の向上【解決手段】バッファ層2の上に、膜厚約0.6 μm のSi濃度2 ×1018/cm3、電子濃度2×1018/cm3のGaN のn層(第1低不純物濃度層)31を形成した後、その上に、順次、膜厚約4.0 μm、Si濃度4 ×1018/cm3、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN の高キャリア濃度n+ 層(高不純物濃度層)3、膜厚約0.5 μmのSi濃度1 ×1018/cm3、電子濃度5 ×1017/cm3のGaN のn層(第2低不純物濃度層)4、膜厚約100 nmのIn0.20Ga0.80N の発光層5,Al0.08Ga0.92N のp伝導型のクラッド層71、GaN の第1コンタクト層72、GaN のp+ 伝導形の第2コンタクト層73を形成した。n層(第1低不純物濃度層)31により発光層5の結晶性を向上でき、且つ、n+ 層3にコンタクト電極を形成したので抵抗が小さく、駆動電圧の低下、発光効率の向上が達成できた。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された3族窒化物半導体から成るn層、発光層、p層とを有する発光素子において、前記n層、前記p層のうち前記基板に近い方に形成される層を、前記基板に近い方から、不純物無添加を含む低濃度に不純物を添加した第1低不純物濃度層と、その第1低不純物濃度層の上に形成され、高濃度に不純物を添加した高不純物濃度層とを有する構成とし、前記高不純物濃度層に対してコンタクト電極を形成したことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-046785 Applicant：住友化学工業株式会社
窒素-3属元素化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316598 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

Show all

Return to Previous Page