シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000387045
Publication number (International publication number)：2002187794
Application date： Dec. 20, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】表面の欠陥密度が極めて低く、BMDが均一にかつ十分に形成されるシリコンウェーハおよびその製造方法の提供。【解決手段】ウェーハ面積の90%以上が赤外線散乱体欠陥発生領域であり、その赤外線散乱体欠陥は、大きさが平均0.1μm以下でかつ0.1μmを超える該欠陥密度が1×105cm-3以下であるシリコンウェーハ、およびこのウェーハを素材とし、酸素析出物形成熱処理、無欠陥層形成熱処理また表面にエピタキシャル層を形成させたウェーハ。このウエーハの製造は、融液から引き上げる単結晶の中心部が融点から1370°Cまでである温度域で、単結晶の引き上げ軸方向の温度勾配が中心部はGc、外周部ではGeであるとするとき、Gcが2.8°C/mm以上でかつGc/Geが1以上としとして引き上げる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法(CZ法)により引き上げ育成するシリコン単結晶から切り出されるシリコンウェーハであって、ウェーハ面積の80%以上が赤外線散乱体欠陥発生領域であり、その赤外線散乱体欠陥は、大きさが平均0.1μm以下で、かつ0.1μmを超える該欠陥密度が1×105cm-3以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (6)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , C30B 33/02 , H01L 21/208 , H01L 21/322 , H01L 21/324

FI (7)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 B , C30B 29/06 502 E , C30B 33/02 , H01L 21/208 P , H01L 21/322 Y , H01L 21/324 X

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EA02 , 4G077EB10 , 4G077FE05 , 4G077HA12 , 5F053AA12 , 5F053AA21 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053FF05 , 5F053GG01 , 5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

シリコン単結晶ウェ-ハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080451 Applicant：ニッテツ電子株式会社, 新日本製鐵株式会社
シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-074866 Applicant：信越半導体株式会社

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