半導体パワーモジュール

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004368629
Publication number (International publication number)：2006179538
Application date： Dec. 21, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】樹脂封止半導体パワーモジュールのハンダ接続部の熱疲労寿命と耐湿性とを、同時に向上させる。【解決手段】本願発明の半導体パワーモジュールは、セラミックス絶縁基板もしくは、樹脂絶縁金属基板に熱拡散板を介してハンダ付けしたシリコンチップと接続導線とを、まず耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系樹脂でプリコートし、次に、低いヤング率で、ハンダの線膨張係数に合わせた線膨張係数のエポキシ系樹脂で前記プリコート樹脂の上を被覆し、封止する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

セラミックス絶縁基板の一方の面に配置した電極に、メタライズされたSi半導体チップ裏面をハンダ付けし、該セラミックス絶縁基板上の他方の面をベース基板にハンダ付けした半導体パワーモジュールにおいて、該半導体パワーモジュールが、前記Si半導体チップ表面と前記セラミックス絶縁基板の他の電極とを接続する接続導体と、前記Si半導体チップと前記セラミックス絶縁基板の一方の面とを被覆する第1の樹脂と、該第1の樹脂を被覆する第2の樹脂とによって、封止されていて、前記第1の樹脂のヤング率が前記第2の樹脂のヤング率より小さく、前記第2の樹脂は、ヤング率が3GPa〜20GPaであって、その線膨張係数が10×10-6/°C〜40×10-6/°Cであるエポキシ系樹脂であって、前記第2の樹脂を、ポッティング若しくはトランスファモールドで封止したことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (2)：

H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (1)：

H01L23/30 B

F-Term (7)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109CA10 , 4M109DB01 , 4M109DB15 , 4M109EC04 , 4M109EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162804 Applicant：三菱電機株式会社
リードフレーム並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-326687 Applicant：九州日本電気株式会社
樹脂封止型電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-181071 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

Cited by examiner (10)

樹脂封止型電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-182034 Applicant：株式会社デンソー
樹脂封止型電子回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248405 Applicant：サンケン電気株式会社
樹脂封止型回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-017905 Applicant：サンケン電気株式会社

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