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J-GLOBAL ID：200903048878789871

半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置

Inventor：
岩野 英明

About 岩野 英明

, 
横山 修

About 横山 修

, 
野村 浩朗

About 野村 浩朗


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066823
Publication number (International publication number)：1995297498
Application date： Mar. 01, 1995
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 太陽光の影響を受けにくい850nm以上で発振し、最高出力が50W以上の高出力半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置を提供する。【構成】 基板101上に積層したAlGaAs系半導体層SL、その上にストライプ状の電流注入領域112を有する電流狭窄層109および一対の端面反射膜120,121から成り、半導体層は第1導電型の第1クラッド層103、第1光導波路層104、量子井戸構造を有する活性層105と、第2導電型の第2光導波路層106、第2クラッド層107、コンタクト層108をこの順に積層形成する。活性層105は、1mm×1mmの単位領域で、凹凸が基準面に対し±0.1μm以下の平坦性を有し、電流狭窄層109の電流注入領域112の幅は100〜250μmで、共振器長は500〜1,000μmである。
Claim (excerpt)：
第1導電型の化合物半導体からなる基板、この基板の一方の面上に積層された半導体層、前記半導体層上に形成され、少なくとも1つのストライプ状の電流注入領域を有する電流狭窄層、および前記基板および前記半導体層の端面に形成された一対の端面反射膜を含み、前記半導体層は、前記基板側に位置する第1導電型の第1クラッド層、前記第1クラッド層上に形成された第1導電型の第1光導波路層、前記第1光導波層上に形成された、量子井戸構造を有する活性層、前記活性層上に形成された第2導電型の第2光導波路層、前記第2光導波路層上に形成された第2導電型の第2クラッド層、および、前記第2クラッド層上に形成されたコンタクト層、を含み、前記活性層は、1mm×1mmの単位領域で、凹凸が基準面に対し±0.1μm以下の範囲にある平坦性を有し、前記電流狭窄層の電流注入領域の幅は100〜250μmであり、かつ、共振器長は500〜1,000μmである、ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  G01B 11/00 ,  H01S 3/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (25)
  • 特開昭64-012592
  • 変位情報検出装置及び速度計
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-255784   Applicant：キヤノン株式会社
  • 特開平4-264287
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