シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (6)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 岡本芳明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007149102
Publication number (International publication number)：2008303078
Application date： Jun. 05, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：

【課題】従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜することを特徴とするシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 , C01B 33/03

FI (2)：

C01B33/02 D , C01B33/03

F-Term (16)：

4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072BB09 , 4G072GG03 , 4G072HH05 , 4G072HH07 , 4G072HH10 , 4G072HH11 , 4G072JJ01 , 4G072NN13 , 4G072QQ20 , 4G072RR01 , 4G072RR11 , 4G072RR25 , 4G072TT30 , 4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

レーザーによるシリコン同位体の高効率分離・濃縮法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-249048 Applicant：日本原子力研究所, ヒルリサーチ有限会社, ニユークリア・デベロップメント株式会社

Cited by examiner (11)

高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-069557 Applicant：科学技術庁金属材料技術研究所長
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178390 Applicant：株式会社東芝
特開昭56-169118

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