Pat
J-GLOBAL ID:200903054009521516
プラズマ処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997300593
Publication number (International publication number):1999135485
Application date: Oct. 31, 1997
Publication date: May. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】 放電管のエッチングを抑制し得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 誘電体で形成された放電管6の内部に反応性ガスを導入し、前記放電管6の内部の前記反応性ガスに導波管8を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。前記放電管6の熱を液状誘電体21に伝達して除去するようにした放電管冷却手段20を備えている。
Claim (excerpt):
誘電体で形成された放電管の内部に反応性ガスを導入し、前記放電管の内部の前記反応性ガスに導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記放電管の熱を液状誘電体に伝達して除去するようにした放電管冷却手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
FI (3):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 D
, H05H 1/46 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
-
マイクロ波プラズマ・システム用の液体冷却マイクロ波プラズマ・アプリケータおよび液体冷却誘電体窓
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-262200
Applicant:アプライド・サイエンス・アンド・テクノロジー・インコーポレイテッド
-
マイクロ波プラズマベースアプリケータ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-180751
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
半導体ウエハの上面及び側壁からのポリマー除去
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-310871
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
ドライエッチング方法、及びドライエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-120476
Applicant:日本真空技術株式会社
-
プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-065812
Applicant:日新電機株式会社
-
載置台構造及びそれを用いた処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-038927
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
プラズマ処理装置における放電管冷却機構
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-342517
Applicant:日本真空技術株式会社
-
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-302373
Applicant:富士通株式会社
-
プラズマ処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-210446
Applicant:株式会社日立製作所
-
表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-144862
Applicant:株式会社東芝
Show all
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page