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J-GLOBAL ID:200903080971638205
フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (4):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006065763
Publication number (International publication number):2007241060
Application date: Mar. 10, 2006
Publication date: Sep. 20, 2007
Summary:
【課題】エッチング加工時にパターンの粗密依存性が低い十分な加工精度を得ることのできるフォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板1上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、フッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物、特に遷移金属とケイ素を含有する材料で構成した遮光膜2と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜4とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、
該遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (3):
G03F 1/14
, G03F 1/08
, H01L 21/027
FI (3):
G03F1/14 A
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
F-Term (7):
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BC05
, 2H095BC14
, 2H095BC20
, 2H095BC24
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (23)
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Cited by examiner (23)
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位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-293835
Applicant:HOYA株式会社
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特開平4-075059
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特開平4-246649
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