コンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117222
Publication number (International publication number)：1999015151
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】位相シフト法を用いたコンタクトホールの形成技術において、ディンプルの少ないマスクパターンに充実なコンタクトホールパターン画像を得ることのできるコンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法の提供。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物、(C)溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(B)成分はメチレン鎖を介し4〜6個のベンゼン環が結合しその結合の位置は一つのメチレン鎖に対し他のメチレン鎖がメタ位にあり、かつ各ベンゼン環は水酸基を有しているポリフェノール化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物を少なくとも1種含有するものである組成物および該組成物を用いるコンタクトホールの形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(C)溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、前記(B)成分はメチレン鎖を介し、4〜6個のベンゼン環が結合し、その結合の位置は一つのメチレン鎖に対し他のメチレン鎖がメタ位にあり、かつ各ベンゼン環は水酸基を有しているポリフェノール化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物を少なくとも1種含有するものであることを特徴とするコンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/022 601 , G03F 7/004 506 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/022 601 , G03F 7/004 506 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

感電離放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-318195 Applicant：富士写真フイルム株式会社
放射線感受性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-305074 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125194 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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