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J-GLOBAL ID:200903081222656970

半導体集積回路およびその設計方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小笠原 史朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003374695
Publication number (International publication number):2005142226
Application date: Nov. 04, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 半導体集積回路では、電源配線に抵抗成分が含まれているために、クロック経路上にあるセルに供給される電源電圧が降下して、クロックスキューが発生する。【解決手段】 クロック経路上にあるセル10に対して、セル10を中心としたセル配置禁止領域を設定し、セル配置禁止領域には、論理動作を行うセルを配置しないようにする。また、密接して配置される複数のセルからなるセル群については、セル群ごとにセル配置禁止領域を設定してもよく、セル配置禁止領域に容量セルを配置してもよい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
セルベース方式で設計された半導体集積回路であって、 互いに平行に設けられた複数の帯状領域内に高さを揃えて配置される複数のセルと、 前記セル間を接続する複数の配線とを備え、 前記セルのうちクロック経路上にあるセルの全部または一部に、各セルを中心としたセル配置禁止領域が設定されており、 前記セルのうち論理動作を行うセルは、前記帯状領域内で前記セル配置禁止領域を除く部分に配置されていることを特徴とする、半導体集積回路。
IPC (4):
H01L21/82 ,  G06F17/50 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (8):
H01L21/82 B ,  G06F17/50 658A ,  G06F17/50 658K ,  G06F17/50 658V ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 D ,  H01L21/82 W ,  H01L21/82 L
F-Term (28):
5B046AA08 ,  5B046BA05 ,  5B046BA06 ,  5B046JA01 ,  5F038CA03 ,  5F038CA07 ,  5F038CA17 ,  5F038CD02 ,  5F038CD06 ,  5F038CD09 ,  5F038CD12 ,  5F038CD14 ,  5F038CD17 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA05 ,  5F064BB30 ,  5F064DD03 ,  5F064DD08 ,  5F064DD13 ,  5F064DD19 ,  5F064DD24 ,  5F064EE26 ,  5F064EE52 ,  5F064EE54 ,  5F064HH06 ,  5F064HH12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (9)
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