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J-GLOBAL ID：200903094529430663

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
堤 聡明

About 堤 聡明


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ


Agent (1)： 高田 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032331
Publication number (International publication number)：2001223178
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 Arガスをシリサイド膜中に取り込むことなくシリサイド膜を形成し、良品の収率を増加させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 初期シリサイド反応において金属組成の多いシリサイドを形成する金属膜、例えばCo膜11をイオン化スパッタ法により形成してバリアメタルを形成することにより、Arガスをシリサイド膜中に取り込むことなくシリサイド膜12を形成し、安定なコンタクト特性を実現する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面上に形成された不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を開口して形成された前記不純物拡散層の表面に達するコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上と前記コンタクトホール内とにわたりイオン化スパッタ法を用いて形成された金属膜と、熱処理を施して前記コンタクトホールの底部に形成された金属シリサイドと、前記金属膜上と前記金属シリサイドを含む前記コンタクトホール内とにわたり形成されたバリア膜と、前記バリア膜上に形成された導電性膜とを備え、前記金属膜は、初期シリサイド反応において金属組成の多いシリサイドを形成する金属膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/28 301 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/46 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768
FI (5)：
H01L 21/28 301 T ,  C23C 14/06 E ,  C23C 14/46 Z ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/90 C
F-Term (56)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029AA29 ,  4K029BA06 ,  4K029BA52 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029DC37 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ77 ,  5F033QQ79 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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Cited by examiner (7)
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