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J-GLOBAL ID：200903059128031782

窒化物半導体発光素子

Inventor：
向井 孝志

About 向井 孝志

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348973
Publication number (International publication number)：1999214746
Application date： Dec. 18, 1997
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf及び閾値を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板1と活性層6との間に、基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下の第1の窒化物半導体層3と、n型不純物が3×1018/cm3以上の第2の窒化物半導体層4と、n型不純物が1×1017/cm3以下の第3の窒化物半導体層5とを有し、前記第2の窒化物半導体層4にn電極が形成されている。第1の層3及び第3の層5はn型不純物濃度が少ないので結晶性の良い下地層となり、結晶性の良い第1の層3上にn型不純物濃度が大きい第2の層4を結晶性良く成長できる。
Claim (excerpt)：
基板と活性層との間に、基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下の第1の窒化物半導体層と、n型不純物が3×1018/cm3以上の第2の窒化物半導体層と、n型不純物が1×1017/cm3以下の第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (16)
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Cited by examiner (10)
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