配向性非晶質炭素膜およびその形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大川宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010288530
Publication number (International publication number)：2011148686
Application date： Dec. 24, 2010
Publication date： Aug. 04, 2011
Summary：

【課題】新規の構造を有し、高い導電性を示す配向性の非晶質炭素膜およびその形成方法を提供する。【解決手段】配向性非晶質炭素膜は、Cを主成分とし、Nを3〜20原子%、Hを0原子%を超え20原子%以下含み、かつ、Cの全体量を100原子%としたときにsp2混成軌道をもつ炭素(Csp2)が70原子%以上100原子%未満であって、グラファイトの(002)面が厚さ方向に沿って配向する。この膜は、Csp2を含む炭素環式化合物ガスならびにCsp2と窒素および/または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを1500V以上で放電させる直流プラズマCVD法により形成できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭素(C)を主成分とし、窒素(N)を3〜20原子%、水素(H)を0原子%を超え20原子%以下含み、かつ、該炭素の全体量を100原子%としたときにsp2混成軌道をもつ炭素量が70原子%以上100原子%未満であって、グラファイトの(002)面が厚さ方向に沿って配向することを特徴とする配向性非晶質炭素膜。

IPC (3)：

C01B 31/02 , H01M 8/02 , C23C 16/26

FI (4)：

C01B31/02 101Z , H01M8/02 B , C23C16/26 , H01M8/02 Y

F-Term (39)：

4G146AA01 , 4G146AA15 , 4G146AA17 , 4G146AB07 , 4G146AC15A , 4G146AC15B , 4G146AC17A , 4G146AC17B , 4G146AC20B , 4G146AC22B , 4G146AD02 , 4G146AD05 , 4G146AD22 , 4G146AD24 , 4G146BA11 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC27 , 4G146BC31A , 4G146BC31B , 4G146BC32B , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030BB05 , 4K030CA02 , 4K030FA01 , 5H026BB00 , 5H026BB04 , 5H026CX04 , 5H026EE02 , 5H026EE06 , 5H026EE08 , 5H026EE17 , 5H026HH06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-135777 Applicant：株式会社豊田中央研究所
非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-523911 Applicant：株式会社豊田中央研究所
カーボンナノクラスタ膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-289288 Applicant：エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社, 日本電信電話株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

IHI技報, 2008年9月,Vol.48,No.3, 第176〜181ページ

Return to Previous Page