Pat

J-GLOBAL ID：201703000980785457

結晶積層構造体

Inventor： 後藤 健 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立大学法人東京農工大学
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015058518
Publication number (International publication number)：2016175807
Application date： Mar. 20, 2015
Publication date： Oct. 06, 2016
Summary：

【課題】広い範囲で濃度を設定できるドーパントを結晶全体に含むβ-Ga2O3系単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga2O3系基板10と、Ga2O3系基板10の主面11上にエピタキシャル結晶成長により形成された、Cl及び結晶成長と並行してドーピングされた濃度1×1013atoms/cm3以上5.0×1020atoms/cm3以下のドーパントを含むβ-Ga2O3系単結晶膜12と、を含む結晶積層構造体1を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga2O3系基板と、 前記Ga2O3系基板の主面上にエピタキシャル結晶成長により形成された、Cl及び結晶成長と並行してドーピングされた濃度1×1013atoms/cm3以上5.0×1020atoms/cm3以下のドーパントを含むβ-Ga2O3系単結晶膜と、 を含む結晶積層構造体。

IPC (4)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/16 ,  C30B25/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

F-Term (33)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030LA12 ,  5F045AB40 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045DP04 ,  5F045EK06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-300461   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203956   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-004142   Applicant：住友電気工業株式会社
• ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-123102   Applicant：国立大学法人東京農工大学, ローム株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 半導体バルク単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-066797   Applicant：三菱化学株式会社

Cited by examiner (5)

• III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-300461   Applicant：住友電気工業株式会社
• ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-123102   Applicant：国立大学法人東京農工大学, ローム株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203956   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体バルク単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-066797   Applicant：三菱化学株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-004142   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
• Device-Quality β-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy

Cited by examiner (2)

• Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
• Device-Quality β-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy