半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 京村順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-039059
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175593
出願日： 2012年02月24日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜中の可動イオンを低減することにより、高温動作の安定化を達成することができる、SiC半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体装置1は、SiCエピタキシャル層3と、SiCエピタキシャル層3に接する酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜9と、ゲート絶縁膜9上に形成されたゲート電極10とを含むMIS構造を有している。MIS構造において、ゲート絶縁膜9中の正の可動イオンの面密度QMが1×1012cm-2以下にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiCからなる半導体層と、前記半導体層に接する酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むMIS構造を有し、前記ゲート絶縁膜中の正の可動イオンの面密度QMが1×1012cm-2以下である、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (11件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 301B , H01L29/78 653C , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 658G , H01L29/78 301G , H01L29/78 301F , H01L21/283 C , H01L21/28 301B , H01L29/58 G

Fターム (66件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD11 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104DD65 , 4M104DD77 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF04 , 4M104FF11 , 4M104FF21 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA37 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AB04 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB04 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD06 , 5F140BD11 , 5F140BD18 , 5F140BE03 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE11 , 5F140BE14 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF52 , 5F140BF53 , 5F140BG04 , 5F140BG24 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140CA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-237183 出願人：松下電器産業株式会社
高い誘電率のSiO2ゲート積層体上に熱的に安定したp型金属炭化物としてTiCを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-551253 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-208119 出願人：株式会社東芝

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