高い誘電率のSiO2ゲート積層体上に熱的に安定したp型金属炭化物としてTiCを製造する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-551253
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530769
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】高誘電率のSiO2ゲート積層体上に熱的に安定したp型金属炭化物としてTiCを製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の金属化合物は、TiCを含み、約4.75乃至約5.3eV、望ましくは、約5eVの仕事関数を有し且つ高誘電率の誘電体および界面層を含むゲート積層体上で熱的に安定する。更に、そのTiC金属化合物は、非常に意欲的な等価酸化膜厚(EOT)およびp型金属酸化物半導体(pMOS)装置における14Åよりも小さい反転層厚へのスケーリングを可能にする1000°Cにおいても非常に効率的な酸素拡散バリアである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた界面層と、前記界面層上に設けられた高誘電率(k)の誘電体と、前記高誘電率(k)の誘電体上に設けられたTiCゲート金属とを含む、半導体構造。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/78 617M , H01L29/78 617J

Fターム (145件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD40 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 4M104HH20 , 5F110AA03 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HM15 , 5F110QQ03 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F140AA00 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA10 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF28 , 5F140BF30 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG33 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG49 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH36 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE05

引用特許：

審査官引用 (12件)

高誘電率ゲート誘電体および金属ゲート電極をもつ半導体デバイスの作成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-544642 出願人：インテルコーポレイション
MIS型FETの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-263783 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-163017 出願人：NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気株式会社

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