特許
J-GLOBAL ID：200903035404403978

高い誘電率のSiO2ゲート積層体上に熱的に安定したp型金属炭化物としてTiCを製造する方法

発明者：
カルガリー、アレサンドロ、シー

カルガリー、アレサンドロ、シー について

, 
グリベルヤック、マイケル、エイ

グリベルヤック、マイケル、エイ について

, 
レーシー、ディアンヌ、エル

レーシー、ディアンヌ、エル について

, 
マクフィーリ、フェントン、アール

マクフィーリ、フェントン、アール について

, 
サエンガー、キャサリン、エル

サエンガー、キャサリン、エル について

, 
ザファー、サフィ

ザファー、サフィ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-551253
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530769
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】 高誘電率のSiO2ゲート積層体上に熱的に安定したp型金属炭化物としてTiCを製造する方法を提供する。【解決手段】 本発明の金属化合物は、TiCを含み、約4.75乃至約5.3eV、望ましくは、約5eVの仕事関数を有し且つ高誘電率の誘電体および界面層を含むゲート積層体上で熱的に安定する。更に、そのTiC金属化合物は、非常に意欲的な等価酸化膜厚(EOT)およびp型金属酸化物半導体(pMOS)装置における14Åよりも小さい反転層厚へのスケーリングを可能にする1000°Cにおいても非常に効率的な酸素拡散バリアである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた界面層と、 前記界面層上に設けられた高誘電率(k)の誘電体と、 前記高誘電率(k)の誘電体上に設けられたTiCゲート金属と を含む、半導体構造。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617J
Fターム (145件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF28 ,  5F140BF30 ,  5F140BF33 ,  5F140BF34 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG49 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE05
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM