特許
J-GLOBAL ID：201503017898079949

半導体量子ドット及びその製造方法

発明者：
赤羽 浩一

赤羽 浩一 について

, 
山本 直克

山本 直克 について

, 
川西 哲也

川西 哲也 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人情報通信研究機構

国立研究開発法人情報通信研究機構 について


代理人 (2件)： 廣瀬 隆行 ,  関 大祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-096322
公開番号（公開出願番号）：特開2015-216144
出願日： 2014年05月07日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：
【課題】量子ドットの発光波長及び発光効率を適切に制御できる半導体量子ドットを提供する。【解決手段】半導体量子ドット17は,基板11と,基板11上に設けられた埋め込み層13と,埋め込み層13に設けられた量子ドット15とを含む。埋め込み層13は,第1結晶層21と第2結晶層23とを組み合わせた超格子を含み,この超格子は,基板11と格子整合がとられたものである。基板の例は,InP基板であり,第1結晶層及び第2結晶層の例は,InGaAs結晶層及びInAlAs結晶層である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板(11)と,前記基板(11)上に設けられた埋め込み層(13)と,前記埋め込み層(13)に設けられた量子ドット(15)とを含む,半導体量子ドット(17)であって, 前記埋め込み層(13)は,第1結晶層(21)と第2結晶層(23)とを組み合わせた超格子を含み,前記超格子は前記基板(11)と格子整合がとられている, 半導体量子ドット。
IPC (6件)：
H01L 33/06 ,  H01L 21/203 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 20/00 ,  H01L 29/06 ,  H01S 5/34
FI (6件)：
H01L33/00 112 ,  H01L21/203 M ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/06 601D ,  H01S5/34
Fターム (20件)：
5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F141AA11 ,  5F141CA05 ,  5F141CA39 ,  5F141CA66 ,  5F173AF08 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AP24 ,  5F173AR02 ,  5F241AA11 ,  5F241CA05 ,  5F241CA39 ,  5F241CA66
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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