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J-GLOBAL ID：201402200700784143   整理番号：14A0476599

GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御

Control of Insulated Gate Interfaces for GaN-based Power Transistors

著者 (3件)： 橋詰保 (北大) ,  谷田部然治 (北大) ,  佐藤威友 (北大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-14  号： 39-49  ページ： 13-16  発行年： 2014年03月13日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,GaNパワー素子において,絶縁膜/AlGaNの界面特性の評価の例を報告した。AlGaN/GaNヘテロ接合にAl₂O₃絶縁ゲートを形成し,Al₂O₃/AlGaN界面の電子準位密度を推定した。界面準位からの電子放出時定数を考慮する数値計算により,実験的C-V曲線を説明することができた。さらに,fitting法と光支援C-V法により界面準位密度分布を算出し,ICPエッチングされたAlGaN面に形成した試料では,エッチングを行わない場合と比較して,界面準位密度が約1ケタ程度増加することが明らかになった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *絶縁膜 ,  制御 ,  界面 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  特性 ,  *ヘテロ接合 ,  *ゲート【半導体】 ,  表面準位 ,  誘導結合プラズマ ,  容量電圧特性 ,  酸化アルミニウム ,  素子構造 ,  *HEMT ,  パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  電子放出 ,  時定数 ,  数値計算 ,  プラズマエッチング ,  リセス構造 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  プラズマ
準シソーラス用語： GaN ,  界面制御 ,  AlGaN ,  界面特性 ,  界面準位

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• 木本恒暢:応用物理 80, 673 (2011).
• 葛原正明:応用物理 81,464(2012).
• "Special Issue on GaN Electronic Devices" : IEEE Trans. Electron Dev. 60, no.10, (2013).
• 橋詰保:応用物理81, 479(2012).
• C. Mizue, Y. Hori, M. Miczek, and T. Hashizume: Jpn. J. Appl. Phys. 50, 021001 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  パワー素子 ,  絶縁膜 ,  界面制御