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J-GLOBAL ID：200902242014483824   整理番号：05A0079307

PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価

Characterization of Fixed Charge in High-k Dielectric Thin Film by Photoreflectance

著者 (6件)： 寒川雅之 (大阪大) ,  金島岳 (大阪大) ,  吉田真人 (大阪大) ,  多田泰三 (大阪大) ,  奥山雅則 (大阪大) ,  藤本晶 (和歌山工高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 510(SDM2004 192-208)  ページ： 25-30  発行年： 2004年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： High-kゲート絶縁膜としてが注目されているHfO<sub...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (20件)：

• KINGON, A. I. Nature (London). 2000, 406, 1032
• MANCHANDA, L. Tech. Dig. IEDM2000. 2000, 23
• QI, W. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1704
• WILK, G. D. J. Appl. Phys. 2000, 87, 484
• WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854

タイトルに関連する用語 (4件)： PRS ,  ゲート絶縁膜 ,  固定電荷 ,  評価