特許
J-GLOBAL ID：200903002606377280
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074558
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 p側電極とp側コンタクト層との間に生じるコンタクト抵抗を低くすることができ、低しきい値電流,低動作電圧で劣化を起こさず、信頼性の向上をはかる。【解決手段】 サファイア基板1上にそれぞれ単結晶の、n-GaNコンタクト層3,n-AlGaNクラッド層4,GaN導波層5,MQW活性層6,GaN導波層6,p-AlGaNクラッド層8,p-GaNコンタクト層9を成長形成し、コンタクト層9上の一部にPt/Auからなるp側電極11,12を形成し、コンタクト層9からクラッド層4までを一部エッチングして露出したコンタクト層3上にTi/Auからなるn側電極13を形成したGaN系半導体レーザにおいて、コンタクト層9とp側電極11,12との間に、厚さが10nm以下でキャリア濃度が1×1017cm-3以上の多結晶のGaN層10を挿入した。
請求項（抜粋）：
単結晶の窒化ガリウム系化合物半導体からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、前記ダブルヘテロ構造のp側コンタクト層とp側電極との間に多結晶の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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