特許
J-GLOBAL ID：200903003602940912
荷電粒子システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-099363
公開番号（公開出願番号）：特開2008-256541
出願日： 2007年04月05日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】CADデータを2次元的にだけでなく、3次元的にも利用して実際のパターンと理想パターンとの比較を容易にすることのできる荷電粒子システムを提供するものである。【解決手段】本発明では、荷電粒子線の試料に対する照射角度の情報を用いて、理想的なパターン(例えば、CADデータ等の設計データ)を2次元的表示から3次元的表示に変換して、観測画像と共に表示するようにしている。重ね合わせると、両者の比較はし易い。なお、理想的なパターンとしては、半導体の設計情報に基づく回路パターン(CADデータ)の他、半導体ウェーハ上に露光を行う際の露光マスクに基づく露光マスクパターン、及び露光用マスクと露光条件に基づく露光シミュレーションに基づく露光シミュレーションパターン等があり、それらの少なくとも1つを3次元的に表示するようにしている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子線の照射部位が試料の所定の領域を走査するように前記荷電粒子線を走査制御する荷電粒子線制御手段と、
前記荷電粒子線を前記試料に対して傾斜させて照射することを可能にする荷電粒子照射手段と、
前記試料に荷電粒子線が照射されたとき、前記試料の前記荷電粒子線が照射された部位から放出される電子を検出し、その検出した電子の量に基づき、前記荷電粒子線が走査した前記試料の領域の観測画像を生成する観測画像生成手段と、
前記観測画像と理想的なパターン画像を表示部に表示する画像処理手段と、を備え、
前記画像処理手段は、前記荷電粒子線の前記試料に対する傾斜角度に基づいて、前記理想的なパターンの表示角度を算出し、理想的なパターンの形状を傾斜変換して3次元パターンとして前記表示部に表示することを特徴とする荷電粒子システム。
IPC (3件)：
G01N 23/225
, H01L 21/66
, G06T 17/40
G01N23/225
, H01L21/66 J
, G06T17/40 A
2G001AA03
, 2G001AA05
, 2G001AA10
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001BA30
, 2G001CA03
, 2G001GA08
, 2G001GA13
, 2G001HA13
, 2G001JA03
, 2G001JA07
, 2G001JA13
, 2G001KA03
, 2G001KA11
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001QA01
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ23
, 5B050BA07
, 5B050BA09
, 5B050BA13
, 5B050EA27
, 5B050EA28
, 5B050FA02
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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