特許
J-GLOBAL ID：200903004181843803
半導体相互接続構造体およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-119003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311366
出願日： 2005年04月15日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 上部低誘電率(low-k)誘電体層とその下に存在する拡散障壁キャップ誘電体層との間の接着性を改善する相互接続構造体を実現する。【解決手段】 本発明の相互接続構造体は(誘電率が4.0未満である)上部低誘電率(low-k)誘電体層(たとえばSi、C、O、およびHから成る元素群を含む誘電体)とその下に存在する拡散障壁キャップ誘電体層(たとえばC、Si、N、およびHから成る元素群を含むキャップ層)との間の接着性が、これら2つの層の間に接着遷移層を設けることにより改善されている。上部低誘電率(low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。ここで提供する接着遷移層は下部SiOx (またはSiON)含有領域と上部C傾斜領域とを備えている。このような構造体、特に接着遷移層を形成する方法も提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
少なくとも、
誘電率が4.0未満である上部低誘電率(low-k)誘電体層と、
下に存在るす拡散障壁キャップ誘電体層と
を備えた相互接続構造体であって、
前記上部低誘電率(low-k)誘電体層と前記下に存在るす拡散障壁キャップ誘電体層との間に、下部SiOx (またはSiON)含有領域と上部C傾斜領域とを備えた接着遷移層が設けられている、
相互接続構造体。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/312 M
, H01L21/312 C
5F058AA08
, 5F058AD02
, 5F058AD05
, 5F058AE02
, 5F058AF02
, 5F058BA10
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD06
, 5F058BD15
, 5F058BF02
, 5F058BJ02
出願人引用 (14件)
全件表示
審査官引用 (14件)
全件表示
前のページに戻る
