特許
J-GLOBAL ID：200903013898012832

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について

, 
木村 大覚

木村 大覚 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-113353
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309289
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 エッチング量の制御を可能とし光出力が大きく信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 保持用金属板9の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層6と発光層5と第一導電型窒化物系半導体層4とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたInを含むエッチングマーカー層3を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
保持用金属板の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層と発光層と第一導電型窒化物系半導体層とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたInを含むエッチングマーカー層を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 103 ,  H01L 21/302 301 Z
Fターム (23件)：
5F004AA02 ,  5F004CB15 ,  5F004CB18 ,  5F004DB19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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