特許
J-GLOBAL ID:200903018563495253
化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-164383
公開番号(公開出願番号):特開2007-333933
出願日: 2006年06月14日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有する光酸発生剤を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示される化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤。
IPC (4件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, C07D 333/36
, C08F 212/14
FI (5件):
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C07D333/36
, C08F212/14
Fターム (34件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB55
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4C023GA01
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR10S
, 4J100BA03P
, 4J100BA03S
, 4J100BA04Q
, 4J100BA04S
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献:
出願人引用 (1件)
-
Ciba IRGACURE PAG103, 20051116
審査官引用 (1件)
-
Ciba IRGACURE PAG103, 20051116
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