特許
J-GLOBAL ID:200903018563495253

化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-164383
公開番号(公開出願番号):特開2007-333933
出願日: 2006年06月14日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有する光酸発生剤を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示される化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤。
IPC (4件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C07D 333/36 ,  C08F 212/14
FI (5件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C07D333/36 ,  C08F212/14
Fターム (34件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C023GA01 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR10S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04S ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献:
出願人引用 (1件)
  • Ciba IRGACURE PAG103, 20051116
審査官引用 (1件)
  • Ciba IRGACURE PAG103, 20051116

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