特許
J-GLOBAL ID：200903021842767256

炭化珪素半導体装置

発明者：
田中 秀明

田中 秀明 について

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星 正勝

星 正勝 について

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クライソン トロンナムチャイ

クライソン トロンナムチャイ について

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林 哲也

林 哲也 について

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金子 佐一郎

金子 佐一郎 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379331
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214268
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】高耐圧な炭化珪素ダイオードを提供すること。【解決手段】SiC基板1上に形成された第一導電型のSiCエピタキシャル層2の第一主面側にSiCエピタキシャル層2とはバンドギャップの異なる半導体材料からなる第一の半導体領域7とSiCエピタキシャル層2との間に形成される第一の接合を有し、SiC基板1と接するように形成された金属電極である裏面(カソード)電極5を有し、第一の半導体領域7と接することによりキャリアに対するエネルギー障壁を形成する材料からなるショットキー電極3と第一の半導体領域7との間に形成される第二の接合を有する炭化珪素半導体装置であって、前記第一の接合によって形成されるダイオードと前記第二の接合によって形成されるダイオードとが、極性を同一方向にして直列に接続されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の炭化珪素半導体基体の第一主面側に、前記炭化珪素半導体基体とはバンドギャップの異なる半導体材料と前記炭化珪素半導体基体との間に形成される第一の接合を有し、前記炭化珪素半導体基体と接するように形成された電極を有する炭化珪素半導体装置であって、前記半導体材料と接することによりキャリアに対するエネルギー障壁を形成する材料と前記半導体材料との間に形成される第二の接合を有し、前記第一の接合によって形成されるダイオードと前記第二の接合によって形成されるダイオードとが、極性を同一方向にして直列に接続されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L29/861 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872
FI (7件)：
H01L29/91 F ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/91 E ,  H01L29/91 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 K
Fターム (12件)：
4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HM12
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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