特許
J-GLOBAL ID：200903029326246585
極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長澤 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015182
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202671
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 Sn等の放射種に起因するデブリがEUV光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するとともに、堆積したSnおよび/またはSn化合物を効率よく除去すること。【解決手段】 高密度高温プラズマが発生するチャンバ10内に極端紫外光放射種であるSnおよび/またはSn化合物を含む原料を供給し、チャンバ10内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させ、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す。また、水素ラジカル発生部31,32を設け、水素ラジカルをチャンバ10内で発生させ、集光鏡5などの装置低温部にSnおよび/またはSn化合物が堆積するのを抑制し、また、堆積したSnおよび/またはSn化合物を除去する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
高密度高温プラズマが発生する容器と、
この容器内に極端紫外光放射種であるSnおよび/またはSn化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、
容器に接続された排気手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、
上記容器内に水素ラジカルを導入する水素ラジカル導入手段を設けた
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
IPC (5件)：
H05G 2/00
, G03F 7/20
, G21K 5/02
, G21K 5/08
, H01L 21/027
H05G1/00 K
, G03F7/20 521
, G21K5/02 X
, G21K5/08 X
, H01L21/30 531S
4C092AA04
, 4C092AA06
, 4C092AA14
, 4C092AB19
, 4C092AC09
, 4C092BD20
, 5F046GC03
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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