特許
J-GLOBAL ID：200903034812034992

半導体装置及びその製造方法

発明者：
白石 司

白石 司 について

, 
別所 芳宏

別所 芳宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349109
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174165
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 ベアICチップをフリップチップ実装した従来の半導体装置おいては、実装工程時におけるICチップにダメージが生じる。【解決手段】 半導体素子101面の電極端子部に形成したバンプ102と接続する回路基板103の電極端子部104直下に、加えられた圧力に応じて容易に変形可能な応力緩和層105を設ける。これにより、実装時の加圧に対して半導体素子に加わる力の大きさは低減できるので、半導体素子に形成された回路素子機能に不具合が発生する事がなくなり、極めて品質の高い半導体装置を安定して作製することを実現する。
請求項（抜粋）：
半導体素子をフェースダウンにて回路基板上に実装した半導体装置において、前記半導体素子面の電極端子部に形成したバンプと接続する前記回路基板の電極端子部の少なくとも直下に、加えられた圧力に応じて容易に変形可能な応力緩和層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (2件)：
H01L 23/12 F ,  H01L 21/60 311 S
Fターム (8件)：
5F044KK07 ,  5F044KK09 ,  5F044KK11 ,  5F044LL07 ,  5F044LL09 ,  5F044LL11 ,  5F044LL15 ,  5F044QQ01
引用特許：
審査官引用 (27件)
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