特許
J-GLOBAL ID：200903036521910410

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
小林 知洋

小林 知洋 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
谷口 良輔

谷口 良輔 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-348203
公開番号（公開出願番号）：特開2008-158339
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】解像性を大きく改善し、かつハーフトーンマスク使用時の表面荒れやサイドローブに対する耐性が優れたレジスト材料、及びレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも、カルボキシル基がアセタール基で保護された(メタ)アクリル酸またはα-トリフルオロメチルアクリル酸である繰り返し単位を有する樹脂成分(A)と、高エネルギー線に感応してスルホン酸を発生する光酸発生剤(B)と、カチオンがスルホニウム、又はアンモニウムであるオニウム塩(C)、を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ポジ型レジスト材料であって、少なくとも、 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する樹脂成分(A)と、 高エネルギー線に感応して下記一般式(2)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤(B)と、 カチオンが下記一般式(3)で示されるスルホニウム、又は下記一般式(4)で示されるアンモニウムであり、かつアニオンが下記一般式(5)〜(7)のいずれかで示される構造のオニウム塩(C)、 を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/28
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 503A ,  C08F20/28
Fターム (48件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02S ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL26P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA20Q ,  4J100BB07S ,  4J100BB18S ,  4J100BC03S ,  4J100BC04P ,  4J100BC04S ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53S ,  4J100BC58Q ,  4J100BC58R ,  4J100BC58S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (12件)
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