特許
J-GLOBAL ID：200903038077553455
薄膜作製方法及び薄膜作製装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
光石 俊郎
, 光石 忠敬
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374182
公開番号（公開出願番号）：特開2005-139476
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 被エッチング部材と基板との温度条件を所定通り維持しつつ被エッチング部材をエッチングしてその金属成分の金属膜を基板上に生成させる場合において、被エッチング部材の温度を基板の温度とは独立に制御し得る金属膜作製装置を提供する。【解決手段】 高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得ると同時にハロゲンガスを解離する触媒作用を有する金属、例えばCuで形成した被エッチング部材8の温度をヒータ11で基板3の温度とは独立に制御する一方、この被エッチング部材8の触媒作用でチャンバ1内に供給されたハロゲンガスを解離してそのラジカルを得、このラジカルで被エッチング部材8のエッチングを行うことにより所定の前駆体15を得るようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板が収容されるチャンバの内部にハロゲンガスを供給し、
このハロゲンガスを解離する化学活性を有するとともに少なくとも一種類の高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る元素を含む材料で形成した被エッチング部材を、所定の第1の温度に制御して前記ハロゲンガス、このハロゲンガスを解離したラジカル又は前記ハロゲンガスを励起したイオン種でエッチングすることにより少なくとも前記元素とハロゲンとの前駆体を形成し、
前記基板の温度を、前記被エッチング部材の温度よりも低い第2の温度に制御することにより、前記前駆体を基板に吸着させ、その後少なくともその元素成分を析出させて成膜を行うことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (4件)：
C23C16/448
, H01L21/285
, H05H1/24
, H05H1/46
C23C16/448
, H01L21/285 C
, H05H1/24
, H05H1/46 B
, H05H1/46 L
4K030AA02
, 4K030AA03
, 4K030BA01
, 4K030BA05
, 4K030BA11
, 4K030BA14
, 4K030BA17
, 4K030BA20
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030FA07
, 4K030FA10
, 4K030FA12
, 4K030FA17
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030KA39
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104DD43
, 4M104DD45
, 4M104HH20
出願人引用 (1件)
-
金属膜作製装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-348315
出願人：三菱重工業株式会社
審査官引用 (11件)
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