半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335028
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177170
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。【解決手段】Siの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ge層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の2倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはGe層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるSiとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Siの基板と、前記基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、前記Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板。

IPC (8件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 21/822 , H01L 27/082 , H01L 21/322 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L21/20 , H01L21/324 X , H01L29/72 H , H01L27/08 101B , H01L21/322 G , H01L21/205

Fターム (60件)：

5F003AZ01 , 5F003BA23 , 5F003BA92 , 5F003BB01 , 5F003BB90 , 5F003BC01 , 5F003BC90 , 5F003BE01 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP31 , 5F003BP32 , 5F003BP41 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB05 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F082BA21 , 5F082BA35 , 5F082BA47 , 5F082BC03 , 5F082CA01 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082CA05 , 5F082DA03 , 5F082EA22 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN04 , 5F152LN05 , 5F152LN22 , 5F152LN23 , 5F152LN32 , 5F152MM05 , 5F152MM07 , 5F152MM10 , 5F152MM13 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN27 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ08 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (14件)

化合物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-123259 出願人：松下電工株式会社
GaAs層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-177559 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭61-135115

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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