半導体記憶装置及びそれを含む半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-163370
公開番号（公開出願番号）：特開2002-358777
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】メモリと演算回路とのデータ伝送速度を、演算回路内のデータ伝送速度より高速化することが困難であった。【解決手段】メモリブロック13近傍のI/O部20にローカルロジック回路21を設けることにより、メモリブロック13とローカルロジック回路とのデータ伝送を高速化している。

請求項（抜粋）：

メモリブロックと、前記メモリブロックに隣接し、前記メモリブロックに接続されたバッファ回路を有する入出力部と、前記入出力部に配置され、前記メモリブロックから読み出され、前記バッファ回路を介して供給されたデータを演算する演算回路とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , H01L 27/10 461

FI (2件)：

H01L 27/10 461 , G11C 11/34 371 Z

Fターム (12件)：

5F083GA01 , 5F083ZA12 , 5M024AA50 , 5M024BB30 , 5M024BB33 , 5M024BB34 , 5M024GG20 , 5M024KK35 , 5M024LL06 , 5M024PP01 , 5M024PP05 , 5M024PP10

引用特許：

審査官引用 (16件)

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